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Q: Thin gate oxide in a CMOS process is preferably grown using- CMOS प्रक्रिया में पतला गेट आक्साइड अधिमानत: ............. का उपयोग करके विकसित किया जाता है।
  • A. Ion implantation/आयन आरोपण
  • B. Wet oxidation/गीला आक्सीकरण
  • C. Dry oxidation/शुष्क आक्सीकरण
  • D. Epitaxial deposition/उपकला डिपोजिशन
Correct Answer: Option C - CMOS में Thin gate oxide के विकास (good conducting) के लिए dry oxidation का प्रयोग किया जाता है, यह उच्च गुणवत्ता विकास (high quality grown) के लिए प्रयुक्त किया जाता है। dry oxidation, wet oxidation की अपेक्षा धीमा (slow) होता है।
C. CMOS में Thin gate oxide के विकास (good conducting) के लिए dry oxidation का प्रयोग किया जाता है, यह उच्च गुणवत्ता विकास (high quality grown) के लिए प्रयुक्त किया जाता है। dry oxidation, wet oxidation की अपेक्षा धीमा (slow) होता है।

Explanations:

CMOS में Thin gate oxide के विकास (good conducting) के लिए dry oxidation का प्रयोग किया जाता है, यह उच्च गुणवत्ता विकास (high quality grown) के लिए प्रयुक्त किया जाता है। dry oxidation, wet oxidation की अपेक्षा धीमा (slow) होता है।