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Q: Which of the following commonly suffers from charge leakage and requires hardware circuitry to continuously refresh it ?
  • A. Cache memory/कैश मेमोरी
  • B. Flash memory/फ्लैश मेमोरी
  • C. SRAM
  • D. DRAM
Correct Answer: Option D - DRAM स्टोरेज सेल गतिशील है, जिसका अर्थ है कि संधारित्र से चार्ज लीक की भरपाई के लिए इसे हर कुछ मिली सेकण्ड में ताजा करने (Refresh) या इलेक्ट्रॉनिक चार्ज देने की आवश्यकता होती है। डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी एक प्रकार की सेमीकंडक्टर मेमोरी है जो आमतौर पर कम्प्यूटर प्रोसेसर द्वारा कार्य करने के लिए आवश्यक डेटा या प्रोग्राम कोड के लिए उपयोग की जाती है।
D. DRAM स्टोरेज सेल गतिशील है, जिसका अर्थ है कि संधारित्र से चार्ज लीक की भरपाई के लिए इसे हर कुछ मिली सेकण्ड में ताजा करने (Refresh) या इलेक्ट्रॉनिक चार्ज देने की आवश्यकता होती है। डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी एक प्रकार की सेमीकंडक्टर मेमोरी है जो आमतौर पर कम्प्यूटर प्रोसेसर द्वारा कार्य करने के लिए आवश्यक डेटा या प्रोग्राम कोड के लिए उपयोग की जाती है।

Explanations:

DRAM स्टोरेज सेल गतिशील है, जिसका अर्थ है कि संधारित्र से चार्ज लीक की भरपाई के लिए इसे हर कुछ मिली सेकण्ड में ताजा करने (Refresh) या इलेक्ट्रॉनिक चार्ज देने की आवश्यकता होती है। डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी एक प्रकार की सेमीकंडक्टर मेमोरी है जो आमतौर पर कम्प्यूटर प्रोसेसर द्वारा कार्य करने के लिए आवश्यक डेटा या प्रोग्राम कोड के लिए उपयोग की जाती है।