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Q: Gunn diode is made of- गन डायोड (Gunn diode) किससे बनाया जाता है?
  • A. Gallium Arsenide /गैलियम आर्सेनाइड
  • B. Germanium /जर्मेनियम
  • C. Germanium /सिलिकॉन
  • D. Selenium/सेलेनियम
Correct Answer: Option A - गन डायोड (Gunn diode) गैलियम आर्सेनाइड (Ga As) से बनाया जाता है। गन डायोड को ट्रांसफर्ड इलेक्ट्रॉन डिवाइस (TED) के नाम से भी जाना जाता है। TED का गुण केवल Ga As में ही पाया जाता है सिलिकॉन और जर्मेनियम में नहीं। Gunn Diode की thickness 1μm से 30μm के मध्य use की जाती है।
A. गन डायोड (Gunn diode) गैलियम आर्सेनाइड (Ga As) से बनाया जाता है। गन डायोड को ट्रांसफर्ड इलेक्ट्रॉन डिवाइस (TED) के नाम से भी जाना जाता है। TED का गुण केवल Ga As में ही पाया जाता है सिलिकॉन और जर्मेनियम में नहीं। Gunn Diode की thickness 1μm से 30μm के मध्य use की जाती है।

Explanations:

गन डायोड (Gunn diode) गैलियम आर्सेनाइड (Ga As) से बनाया जाता है। गन डायोड को ट्रांसफर्ड इलेक्ट्रॉन डिवाइस (TED) के नाम से भी जाना जाता है। TED का गुण केवल Ga As में ही पाया जाता है सिलिकॉन और जर्मेनियम में नहीं। Gunn Diode की thickness 1μm से 30μm के मध्य use की जाती है।