Question

Ge has more electronegativity than Si because Ge की विद्युत-ऋणात्मकता Si से अधिक होती है; क्योंकि–

• A. s-orbital has poor shielding effect s-कक्षक दुर्बल परिरक्षण प्रभाव डालता है
• B. p-orbital has poor shielding effect p-कक्षक दुर्बल परिरक्षण प्रभाव डालता है
• C. d-orbital has poor shielding effect d-कक्षक दुर्बल परिरक्षण प्रभाव डालता है
• D. Ge has lanthanide contraction Ge में लैन्थेनाइड संकुचन होता है

Answer 1

Answer: (C)

d - कक्षक दुर्बल परिरक्षण प्रभाव डालता है (d - Orbital has poor shielding effect) Ge में 3d- इलेक्ट्रॉन होते हैं और s- कक्षक में परिरक्षण प्रभाव (sheilding effect) होने की वजह से उा की विद्युत ऋणात्मकता Ge की अपेक्षा अधिक होती है।